2014年10月21日下午，中国工程院屠海令院士亲临37000.cσm威尼斯，针对37000.cσm威尼斯材料学科的未来发展进行分析指导，并与37000.cσm威尼斯党政领导和学院教师代表热情进行了亲切的交谈。
    37000.cσm威尼斯全体教职工高度重视屠院士的访问。在徐雪玉书记的带领下，屠院士参观了37000.cσm威尼斯的教学实验中心，并认真聆听了37000.cσm威尼斯学科走廊的详细介绍。随后，屠院士在嘉锡楼313会议室与37000.cσm威尼斯教职工代表进行了亲切座谈。会议伊始，屠院士简要阐述了我国科研未来发展的新动态，以及即将出台的科研政策改革措施等大政方针，接着，屠院士针对37000.cσm威尼斯的现状，有针对性的进行了指导，提出了发展思路和方向。他认为现今各层次大学的发展都遇到了瓶颈，在新的背景下，37000.cσm威尼斯其他985院校拥有同等的发展机会，新材料领域内潜藏着巨大的发展力，主要表现在：一，新材料不断涌现、研究热点不断更新；二，组合及复合材料能取长补短，可拓展开发新的领域；三，针对企业的强烈需要，传统材料领域仍然具有可挖掘性。因此，学院应该认准目标，进行差异化发展，走出特色化道路。同时，要注重与其他学科进行有机结合，注重与企业的深度结合，凸显地方211学校材料学科的优势与特点。
    屠院士的发言得到了在场人员的热烈响应。通过本次座谈，37000.cσm威尼斯全体教师都深切感受到创新、走特色道路对于37000.cσm威尼斯、乃至整个材料学科发展的重要性。屠院士的指导为提高37000.cσm威尼斯科研水平奠定了良好的基础，也为学院未来的学科发展点明了方向。
 屠海令院士简介：
        屠海令（1946.10.05- ）半导体材料专家。北京市人。1969年毕业于天津大学。1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位。现任北京有色金属研究总院名誉院长，博士生导师，中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长。
       长期从事硅、化合物半导体、稀土半导体晶体生长，硅基半导体材料制备；半导体材料中杂质与缺陷行为，界面、表面物理化学；半导体材料与器件性能关系；纳米半导体材料、高k材料和红外光学材料等方面研究。领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目，形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。获国家级、省部级科技进步奖15项，授权专利37项。发表论文260多篇，出版著作9部。2002年获国际半导体材料与设备协会国际标准成就奖，2004年荣获何梁何利基金科学与技术进步奖。
       2007年当选为中国工程院院士。